BNI00HN是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET具有高性能和可靠性,适用于需要高效能和低导通电阻的场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
最大漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ @ Vgs=10V
封装类型:TO-263
工作温度范围:-55°C至175°C
BNI00HN具有极低的导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,同时具有较高的热稳定性和耐久性。该MOSFET采用了先进的沟槽技术,提高了效率和性能。此外,它还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性,适合在恶劣环境下工作。由于其紧凑的封装设计,BNI00HN能够在有限的空间内实现高效的功率管理,是许多电源管理应用的理想选择。
BNI00HN的栅极驱动设计使其能够在较高的开关频率下工作,减少了开关损耗,并提高了系统的整体效率。该器件的热阻较低,有助于快速散热,从而延长了器件的使用寿命。此外,BNI00HN的短路耐受能力也较强,能够在瞬态过载情况下保持稳定运行。
这款MOSFET还具有良好的动态性能,能够在高频开关应用中减少能量损耗,提高系统效率。其栅极电荷(Qg)较低,使得驱动电路的设计更加简单,并降低了驱动损耗。同时,BNI00HN的漏极电流能力较强,能够在高负载条件下保持稳定的性能表现。
BNI00HN适用于多种电源管理和功率转换应用,包括DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、电源开关、电机控制以及汽车电子系统等。它也可用于高电流负载的开关控制,如电源供应器和工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF1405, BSC090N03LS, FDS4410