制造商：Qorvo
　　产品系列：AirFET
　　晶体管类型：增强型GaN HEMT
　　漏极电流（ID）：30 A
　　漏源电压（VDS）：28 V
　　栅源电压（VGS）：-5 V 至 +7 V
　　输出功率（Pout）：典型值 30 W
　　增益：典型值 18 dB
　　效率：典型值 75%
　　工作频率：DC 至 500 MHz
　　封装类型：陶瓷金属气密封装
　　热阻（RθJC）：0.35 °C/W
　　输入电容（Ciss）：典型值 260 pF
　　跨导（Gm）：典型值 150 mS

QM30E3Y-24采用Qorvo独有的增强型GaN（eGaN）HEMT工艺技术，具备常关型特性，显著提升了系统在启动、关闭及故障状态下的安全性。传统耗尽型GaN器件需要负压关断，而QM30E3Y-24仅需简单的0至5V逻辑电平即可驱动，兼容标准CMOS驱动电路，极大简化了栅极驱动设计并降低了系统复杂度。该器件具有极低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗，在高频开关应用中表现出优异的动态性能。
　　其高电子迁移率晶体管（HEMT）结构使得载流子在二维电子气（2DEG）通道中高速移动，实现了低导通电阻和高跨导，有助于提升功率增益和整体效率。QM30E3Y-24在28V工作电压下可提供高达30W的连续波输出功率，在多种负载失配条件下仍能保持稳定工作，具备良好的抗驻波比（VSWR）能力，增强了系统鲁棒性。
　　该器件采用陶瓷金属封装，不仅提供了优异的热传导路径，还确保了在高温、高湿及振动环境下的长期可靠性。封装设计优化了内部引线布局，最大限度降低寄生电感，提升高频响应一致性。此外，该器件具备快速热响应能力，结温变化可通过外部监控实现闭环控制，适用于对热管理要求严格的高密度集成系统。
　　QM30E3Y-24还具备出色的电流共享特性，允许多个器件并联使用以扩展输出功率，同时保持均流性能，避免局部过热。其稳定的跨导特性和一致的阈值电压分布使得并联配置更加可靠。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品设计。整体而言，QM30E3Y-24代表了当前射频功率GaN技术的先进水平，兼顾性能、可靠性与易用性。

QM30E3Y-24广泛应用于多个高要求的射频功率领域。首先，在工业、科学和医疗（ISM）频段中，该器件用于驱动27.12 MHz、13.56 MHz等标准频率的射频电源，如感应加热、介质加热、射频干燥和塑料焊接设备。其次，在射频能量应用中，QM30E3Y-24可用于食品加热、烹饪系统（如固态微波炉）以及非接触式能量传输系统，其高效率特性有助于减少能源浪费并提升系统能效。
　　在等离子体生成系统中，例如等离子体清洗、表面处理、半导体刻蚀和薄膜沉积设备，QM30E3Y-24能够提供稳定且可控的射频功率输出，支持精确的工艺控制。此外，该器件也适用于无线电力传输（WPT）系统，特别是在中大功率远距离能量传输场景中，作为主放大级推动谐振耦合网络。
　　在科研和测试设备领域，QM30E3Y-24被用于构建宽带射频放大器模块，支持从直流到500 MHz范围内的信号放大，适用于通用实验平台和原型验证系统。由于其增强型特性和良好的线性度，也可用于开发D类、E类或F类高效率射频放大器，满足节能和小型化的设计需求。该器件还可用于广播发射机辅助放大器、电磁兼容（EMC）测试功率放大器以及军用通信系统的固态功率放大模块。

QM50E3Y-24
　　QPD1015
　　AMT-30D
　　CGHV1J0030D