类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：200 V
　　最大漏极电流 (Id)：120 A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 2.8 mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷 (Qg)：约 140 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 mm
　　最大耗散功率 (Ptot)：约 200 W

低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下具有较低的导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　高耐压能力（200V）使其适用于高电压应用，增强了系统的可靠性。
　　高电流处理能力（120A）适用于需要大功率输出的场景，如电机驱动和电源转换器。
　　先进的沟槽式 MOSFET 技术降低了开关损耗，提高了高频工作的性能。
　　PowerFLAT 封装具备良好的热管理能力，有助于在高功率应用中保持较低的温度上升，同时节省 PCB 空间。
　　宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于极端环境下的工业和汽车应用。
　　栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统效率。
　　优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高能脉冲条件下的稳定性。
　　符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。

该器件常用于 DC-DC 转换器和电源模块，以实现高效的能量转换，尤其适用于需要高功率密度的设计。
　　适用于电机控制电路，如电动工具、电动车和工业自动化设备中的驱动系统。
　　作为高侧或低侧开关用于负载管理，如电池管理系统（BMS）和智能配电系统。
　　用于电源逆变器，特别是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
　　应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电池保护电路和电动助力转向系统（EPS）。
　　用于高功率 LED 照明驱动电路，确保稳定的电流输出和高效能表现。
　　在工业自动化和控制设备中，用于高频率开关应用，如变频器和伺服驱动器。
　　适用于各种高功率开关电源（SMPS）设计，包括适配器、电源供应器和多路输出电源系统。

IPB020N20N3, IPP200N20N3, IPU60R250P7