P200NF04L 时间：2025/7/23 10:55:05 阅读：13

P200NF04L是一款高性能的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高电流和高效率的电力电子应用中。该器件采用先进的平面技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），确保在高负载条件下也能保持较低的功率损耗。P200NF04L通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种工业和汽车电子应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.7mΩ（典型值）
　　功耗（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（取决于具体制造商）

特性

P200NF04L的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低在高电流应用中的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够在极端条件下稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，适用于多种栅极驱动电路设计。此外，P200NF04L具有良好的热稳定性，其封装设计有助于有效散热，从而延长器件的使用寿命。
　　由于其高耐用性和可靠性，P200NF04L在汽车电子系统中被广泛使用，例如电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统等。在工业领域，它适用于高功率开关电源、逆变器和电机驱动器。
　　该器件还具备较高的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这对于提高系统的稳定性和可靠性至关重要。