P200NF04L是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高电流和高效率的电力电子应用中。该器件采用先进的平面技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),确保在高负载条件下也能保持较低的功率损耗。P200NF04L通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种工业和汽车电子应用中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):200A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):约3.7mΩ(典型值)
功耗(Ptot):250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220、D2PAK(取决于具体制造商)
P200NF04L的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低在高电流应用中的功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有高电流承载能力,能够在极端条件下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,适用于多种栅极驱动电路设计。此外,P200NF04L具有良好的热稳定性,其封装设计有助于有效散热,从而延长器件的使用寿命。
由于其高耐用性和可靠性,P200NF04L在汽车电子系统中被广泛使用,例如电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统等。在工业领域,它适用于高功率开关电源、逆变器和电机驱动器。
该器件还具备较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,这对于提高系统的稳定性和可靠性至关重要。
P200NF04L广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制模块、电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器、电动工具、电动车控制系统、工业自动化设备和电源管理单元。由于其高效率和高可靠性,特别适用于需要大电流、低损耗的电源设计。
STP200N4F5AG、IRF200N4LD、FDP200N4L