时间：2025/8/18 8:02:05
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3SK147是一款由日本东芝公司（Toshiba）制造的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于射频（RF）放大器、高频开关电路和音频功率放大器等电子设备中。该晶体管具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的功率管理应用。3SK147采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合用于中功率级别的电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：150V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：15A（连续）
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：28nC（典型值）
漏源击穿电压（BVDSS）：150V
封装形式：TO-220AB
3SK147 MOSFET的主要特性包括其高电压耐受能力、低导通电阻以及出色的开关性能。该器件能够在高电压下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的能效。其导通电阻仅为0.12Ω，使得在大电流应用中产生的热量显著降低，从而提高了器件的稳定性和寿命。
此外，3SK147具备较高的栅极电荷容量，使其在高速开关应用中表现出色，适用于各种高频功率转换电路。其TO-220AB封装形式提供了良好的散热能力，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的热阻（RθJC）为1.0°C/W，意味着其在散热设计上具有较高的灵活性，可广泛应用于不同的散热环境。同时，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作环境。
3SK147常用于多种电子设备中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器、音频功率放大器、射频功率放大器及工业控制电路等。在电源系统中，它常用于高效率的同步整流电路和负载开关电路。此外，由于其高频特性良好，也广泛应用于开关电源（SMPS）和逆变器系统中。
IRF150, IRFZ44N, 2SK1470
