时间：2025/8/5 22:27:30
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IXTA86N20X4 是一款由 Littelfuse 生产的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，适用于诸如电源转换器、马达控制、负载开关以及各种高电流应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：86A
导通电阻（RDS(on)）：14mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：180nC（典型值）
封装类型：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXTA86N20X4 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其低导通电阻特性使其在大电流应用中表现尤为出色，同时减少了散热需求。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（D2Pak），具备良好的热管理能力，适用于高功率密度设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这种特性使得 IXTA86N20X4 在高频开关应用中具有优势，例如 DC-DC 转换器和同步整流器。
该器件的工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适用于各种工业和汽车环境。其高可靠性和耐用性使其成为苛刻应用环境中的理想选择。
IXTA86N20X4 常用于多种高功率和高效率要求的应用，包括但不限于：电源转换器（如 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源）、马达控制电路、电池管理系统、工业自动化设备、太阳能逆变器以及汽车电子系统（如电动车辆的功率控制系统）。其低导通电阻和高电流处理能力使其在需要高效能功率管理的场合尤为适用。
IXFN86N20X4, IXTA86N20X4S, IXFA86N20X4
