制造商：SK Hynix
　　类型：NAND Flash
　　容量：1Gb
　　封装类型：TSOP
　　电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口：ONFI 1.0兼容
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除时间：块擦除时间典型值为2ms
　　块数量：1024块
　　页大小：512字节

H9DA1GH51HAMMR-4EMR 采用先进的NAND闪存技术，具备出色的读写性能和可靠性。该芯片支持随机访问和连续访问模式，能够满足各种复杂应用的需求。其低功耗设计使其非常适合电池供电设备，例如智能手机、平板电脑和便携式多媒体设备。此外，该NAND闪存芯片具备较长的使用寿命，支持高达10万次的擦写周期，确保了数据存储的稳定性和持久性。
　　这款NAND闪存芯片采用TSOP封装形式，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），可在各种严苛环境下稳定运行。其ONFI 1.0兼容接口使得与主控芯片的连接更加简便，减少了系统设计的复杂性。H9DA1GH51HAMMR-4EMR 还具备强大的错误检测与纠正能力，确保数据在频繁读写过程中的完整性与安全性。

H9DA1GH51HAMMR-4EMR 通常用于嵌入式系统的数据存储，例如智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器、便携式导航设备（PND）以及其他便携式电子产品。此外，它也可用于工业控制设备、数据采集系统和物联网（IoT）设备中，作为程序存储或用户数据存储介质。由于其高可靠性和宽温工作范围，该芯片也适用于车载电子系统和工业自动化设备中的固态存储方案。

K9F1G08U0B-PCB0, MT29F1G08ABBEAH4-30:A