类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：40V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为50-300（具体值根据等级划分）

2N3722A 晶体管具备出色的高频响应特性，能够在高达100MHz的频率下稳定工作，这使其非常适合射频放大和高速开关电路的应用。此外，该器件的电流增益（hFE）范围较宽，通常在50至300之间，允许设计者根据不同的应用需求选择合适的增益等级。晶体管的封装形式通常为TO-92或TO-18，具备良好的散热性能，确保在中等功率条件下可靠运行。
　　其较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）达到30V，允许其在相对较高的电压环境下工作，增强了电路的稳定性和适用性。2N3722A 的最大集电极电流为150mA，支持中等电流负载的应用，如音频放大器前级、逻辑电路接口和小型继电器驱动电路等。
　　此外，2N3722A 在高温环境下仍能保持良好性能，其工作温度范围可达-65°C至+200°C，适合用于工业级和军用级电子设备中。其低功耗特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。

2N3722A 主要用于射频（RF）放大器、高频开关电路、音频放大器的前级放大电路、数字逻辑电路的驱动和接口电路、小型继电器控制电路以及传感器信号放大电路等。此外，它也常用于通信设备、工业控制系统和测试仪器中，特别是在需要高频响应和中等功率放大的场合。

2N3722, 2N3904, BC547, 2N2222