CKC21C562FWGAC7800 是一款高性能的电容芯片,通常用于滤波、储能和信号耦合等应用。它属于薄膜电容器类别,具有高耐压、低损耗和高稳定性的特点,适合在高频电路和功率电子设备中使用。
该电容器采用了先进的材料和技术制造,确保其能够在恶劣环境下长期可靠运行。
型号:CKC21C562FWGAC7800
额定电压:630V DC
标称容量:0.56μF
容差:±5%
工作温度范围:-40℃ 至 +105℃
绝缘电阻:大于10,000MΩ
频率特性:适用于高达2MHz的应用
封装形式:径向引线型
尺寸:直径18mm x 高度30mm
CKC21C562FWGAC7800 具有以下显著特性:
1. 高额定电压:支持高达630V的直流电压,使其非常适合高压应用环境。
2. 稳定性优异:采用高品质的金属化聚丙烯膜作为介质,保证了电容器在宽温度范围内的性能稳定性。
3. 低ESR和ESL:由于其独特的结构设计,此电容器拥有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而降低了高频下的能量损失。
4. 耐高温性能:能够承受高达+105℃的工作温度,满足工业级和汽车级应用需求。
5. 长寿命:即使在极端条件下也能保持长寿命,适用于需要高可靠性的系统中。
CKC21C562FWGAC7800 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的输入/输出滤波。
2. 变频器和逆变器中的平滑电路。
3. 工业控制设备中的脉冲吸收。
4. 电机驱动电路中的噪声抑制。
5. 音频设备中的耦合和去耦功能。
6. 电动汽车充电站和其他新能源相关设备中的电力转换模块。
CKC21C562FWGAC7800H, CKC21C562FWGAC7800T