时间：2025/11/7 20:50:10
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BR93G46F-3AGTE2是一款由Rohm（罗姆）公司生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用I2C总线接口，具有4-Kbit（512 x 8位）的存储容量，广泛应用于需要非易失性数据存储的小型电子设备中。该芯片设计用于低功耗操作，适用于电池供电或对能耗敏感的应用场景。其封装形式为小型SOP8（Small Outline Package），便于在空间受限的PCB布局中使用。BR93G46F-3AGTE2支持宽电压工作范围，通常在1.7V至5.5V之间稳定运行，使其能够兼容多种电源系统，包括3.3V和5V逻辑系统。此外，该器件内置写保护功能，可通过硬件引脚控制，防止意外写入或数据篡改，提高了系统的可靠性与数据安全性。该芯片还具备高耐久性和数据保持能力，典型写入寿命可达1百万次，数据保存时间超过40年，适合长期运行的工业和消费类电子产品。
品牌：Rohm
型号：BR93G46F-3AGTE2
存储容量：4-Kbit
组织结构：512 x 8位
接口类型：I2C（两线串行）
工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
最大时钟频率：400kHz（标准模式）
写入耐久性：1,000,000次
数据保持时间：40年以上
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：SOP8
是否带写保护：是
固定地址：有（A0-A2可配置）
BR93G46F-3AGTE2具备出色的电气稳定性与抗干扰能力，采用CMOS工艺制造，显著降低了静态电流消耗，在待机模式下的电流仅为1μA（典型值），而在读写操作时的工作电流也控制在较低水平，有助于延长便携式设备的电池寿命。该芯片支持标准I2C协议，兼容大多数微控制器的I2C主控接口，通信过程中支持从设备地址的硬件配置（通过A0-A2引脚设置），允许多达8个相同型号的EEPROM在同一总线上共存而不会发生地址冲突，提升了系统扩展的灵活性。
该器件集成了片内纠错机制和上电复位电路，确保在电源不稳定或上电瞬间仍能正确初始化并避免误操作。其写入操作支持页写模式（Page Write），每次最多可连续写入16字节数据，提高批量数据写入效率；同时具备自定时写周期功能，内部自动管理写入时间，外部控制器无需精确延时控制。此外，芯片内置写保护逻辑，除了通过I2C命令进行软件写保护外，还可通过将WP（Write Protect）引脚接地或接高电平实现硬件级别的写保护，有效防止因程序错误或噪声干扰导致的关键数据被覆盖。
BR93G46F-3AGTE2符合RoHS环保标准，采用无铅封装技术，适用于自动化贴片生产流程。其高可靠性和紧凑封装使其成为智能仪表、传感器模块、家用电器控制板、医疗设备校准数据存储等领域的理想选择。器件经过严格的工业级测试，可在恶劣环境条件下长期稳定运行，具备良好的抗静电（ESD）能力和电磁兼容性（EMC），适用于复杂电磁环境中的嵌入式系统应用。
BR93G46F-3AGTE2常用于需要小容量非易失性存储的嵌入式系统中，典型应用场景包括工业控制设备中的参数配置存储，如PLC模块、温度控制器和流量计的校准数据保存；在消费类电子产品中，用于电视、空调、洗衣机等家电的用户设置记忆、运行日志记录；也可集成于各种传感器模块中，用于存储设备ID、灵敏度系数或补偿参数；此外，在通信设备、网络路由器的MAC地址存储、电源管理系统中的电池信息记录等方面也有广泛应用。由于其宽电压特性和低功耗设计，该芯片特别适合用于便携式医疗设备、手持检测仪器和物联网终端节点等依赖电池供电的场合。
M93C46-WMN6TP
CAT24C04WI-GT3
AT24C04D-XHM-T
