IXFP30N60X是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术,具备低导通电阻和高速开关特性,适用于工业控制、电源转换、马达驱动和不间断电源(UPS)等场合。IXFP30N60X采用TO-247封装形式,具备良好的热性能和机械稳定性,适合高功率密度设计。
型号: IXFP30N60X
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 600V
最大漏极电流(Id): 30A
导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω(最大)
栅极电荷(Qg): 90nC(典型)
工作温度范围: -55°C至+150°C
封装形式: TO-247
最大功耗(Pd): 200W
IXFP30N60X具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力达到600V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于开关电源、变频器及马达控制等应用。其次,该MOSFET的导通电阻仅为0.15Ω,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。
此外,IXFP30N60X采用了先进的平面DMOS技术,具有出色的开关性能,开关损耗低,适合高频操作环境。该器件还具备良好的热稳定性,结合TO-247封装形式,能够有效散热,确保在高负载条件下的可靠性。
其栅极电荷仅为90nC,使得驱动电路的设计更为简便,同时减少了驱动损耗。IXFP30N60X还具备较强的抗过载和短路能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护,提高系统的稳定性。
该器件的工作温度范围广泛,从-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。整体而言,IXFP30N60X是一款性能优越、可靠性高的功率MOSFET,广泛应用于现代电力电子系统中。
IXFP30N60X主要应用于高功率电子设备中,如开关电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业马达驱动和变频器等。在这些应用中,该器件能够高效地控制大电流和高电压,实现系统的稳定运行。此外,它也可用于高功率DC-DC转换器和电池管理系统,以满足对高效能和高可靠性的需求。
IXFH30N60P, IRFP460LC, FCP30N60