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IXFP30N60X 发布时间 时间:2025/8/6 11:01:21 查看 阅读:18

IXFP30N60X是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术,具备低导通电阻和高速开关特性,适用于工业控制、电源转换、马达驱动和不间断电源(UPS)等场合。IXFP30N60X采用TO-247封装形式,具备良好的热性能和机械稳定性,适合高功率密度设计。

参数

型号: IXFP30N60X
  类型: N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds): 600V
  最大漏极电流(Id): 30A
  导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω(最大)
  栅极电荷(Qg): 90nC(典型)
  工作温度范围: -55°C至+150°C
  封装形式: TO-247
  最大功耗(Pd): 200W

特性

IXFP30N60X具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力达到600V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于开关电源、变频器及马达控制等应用。其次,该MOSFET的导通电阻仅为0.15Ω,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。
  此外,IXFP30N60X采用了先进的平面DMOS技术,具有出色的开关性能,开关损耗低,适合高频操作环境。该器件还具备良好的热稳定性,结合TO-247封装形式,能够有效散热,确保在高负载条件下的可靠性。
  其栅极电荷仅为90nC,使得驱动电路的设计更为简便,同时减少了驱动损耗。IXFP30N60X还具备较强的抗过载和短路能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护,提高系统的稳定性。
  该器件的工作温度范围广泛,从-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。整体而言,IXFP30N60X是一款性能优越、可靠性高的功率MOSFET,广泛应用于现代电力电子系统中。

应用

IXFP30N60X主要应用于高功率电子设备中,如开关电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业马达驱动和变频器等。在这些应用中,该器件能够高效地控制大电流和高电压,实现系统的稳定运行。此外,它也可用于高功率DC-DC转换器和电池管理系统,以满足对高效能和高可靠性的需求。

替代型号

IXFH30N60P, IRFP460LC, FCP30N60

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IXFP30N60X参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥39.72090管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)155 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2270 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3