类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：65V
　　平均整流电流（IO）：3A
　　正向压降（VF）：0.49V（典型值，IF=1A）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.62V（IF=3A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：0.1mA（典型值，VR=65V, TJ=25°C），随温度升高而增加
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
　　封装形式：PowerDI5060 或 DFN3x3
　　引脚数：2
　　安装类型：表面贴装（SMD）

SDB0650MT3R3采用AOS专有的沟槽式肖特基结构，在实现极低正向压降的同时有效抑制了传统肖特基二极管常见的高漏电流问题。这种结构通过在硅片上形成精细的沟槽并结合金属势垒控制，优化了电场分布，从而在65V额定电压下仍能保持出色的导通性能和反向阻断能力。该器件的正向压降仅为0.49V（在1A时），显著低于普通PN结二极管，大幅降低了导通损耗，特别适合用于低压大电流输出的同步整流拓扑中。同时，其最大正向电流可达3A，脉冲峰值电流更高，具备较强的瞬态负载适应能力。
　　该二极管具有快速开关响应特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此在高频开关电源（如Buck、Boost和Flyback转换器）中可有效减少开关损耗，提升系统效率。由于没有少数载流子存储效应，SDB0650MT3R3在关断过程中不会产生明显的反向恢复电流，避免了由此引发的电磁干扰（EMI）问题和额外功耗，提升了电源系统的稳定性和可靠性。此外，其工作结温可达150°C，支持高温环境下长期稳定运行，适用于车载电子、工业电源及便携式设备等对热稳定性要求较高的应用场景。
　　封装方面，SDB0650MT3R3采用PowerDI5060或类似的DFN3x3小型化表面贴装封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB铜箔高效散热，热阻RθJA约为60°C/W，具体数值取决于PCB设计。该封装不仅节省空间，还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产流程。器件符合RoHS指令和IEC 61249-2-21的无卤素标准，满足现代电子产品对环保与安全性的严格要求。

SDB0650MT3R3广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率二极管的场合。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器，特别是在笔记本电脑、平板电脑和服务器电源模块中作为次级侧整流元件，利用其低正向压降特性显著提升转换效率。在电池充电管理系统中，该器件可用作防反接或隔离二极管，防止电池倒灌电流损坏前端电路。此外，它也常用于开关模式电源（SMPS）中的续流二极管，在电感储能释放阶段提供低损耗通路，减少能量浪费。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手机、移动电源和无线耳机充电仓，SDB0650MT3R3因其小型化封装和高效率表现而备受青睐，有助于延长续航时间并缩小产品体积。在LED驱动电源中，该二极管可用于升压或降压拓扑中的自由轮转路径，确保电流连续性并降低发热。工业控制设备和通信电源模块同样采用此类高性能肖特基二极管以提高系统功率密度和可靠性。由于其良好的高温工作性能，SDB0650MT3R3也可用于汽车电子系统，例如车载充电器、DC-DC转换模块和车身控制单元，满足AEC-Q101相关可靠性测试要求（尽管非车规认证型号需谨慎评估）。总之，凡是要求低损耗、高效率、快速响应和紧凑布局的电源设计，SDB0650MT3R3都是一个理想选择。

AOSS65000|SBR3U60P5|MBR360