时间：2025/9/1 15:24:18
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IS61QDP2B44M18A-400M3L 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的双端口SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备高性能和高可靠性的特点，适用于需要高速数据访问和并行处理的应用场景。该型号的具体配置为256K x 18位，即具备262,144个存储单元，每个单元存储18位数据，适用于需要大量高速缓存的数据处理系统。
容量：4.5Mb
组织方式：256K x 18位
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：4.5ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：165-TQFP
时钟频率：166MHz
接口类型：同步
功耗：典型值180mA（待机模式下10mA）
IS61QDP2B44M18A-400M3L 具备多个显著的技术特性。首先，其高速访问时间（4.5ns）确保了该芯片能够在高频时钟控制下稳定运行，非常适合用于网络设备、通信系统、工业控制等对时序要求严格的应用环境。
其次，该芯片采用了同步接口设计，所有操作均基于系统时钟进行同步，从而提高了数据传输的稳定性和可靠性。同步设计也有助于简化与外部控制器之间的时序匹配问题，提升系统集成度。
此外，IS61QDP2B44M18A-400M3L 的低功耗特性使其在保持高性能的同时，有效降低系统功耗。在待机模式下，电流消耗可降至10mA以下，适合用于对功耗敏感的嵌入式系统或便携式设备。
芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具有较强的电压适应能力，适用于多种电源管理系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在恶劣环境下稳定运行。
最后，该芯片采用了165-TQFP封装形式，体积小、便于PCB布局，并具备良好的散热性能。这种封装形式也支持自动化贴片生产，提高了制造效率。
IS61QDP2B44M18A-400M3L 主要应用于需要高速缓存和双端口访问能力的系统中。典型应用包括但不限于网络交换设备、路由器、通信基站、工业控制模块、图像处理设备、测试测量仪器以及嵌入式系统中的高速缓冲存储器。
在网络设备中，该芯片可作为高速数据缓存，支持数据包的快速读写与转发，提高整体数据处理能力。
在工业控制领域，IS61QDP2B44M18A-400M3L 可用于实时数据采集与处理，确保控制系统对现场数据的快速响应。
在图像处理系统中，该芯片可作为帧缓存或图像数据暂存单元，满足高速图像采集和显示的需求。
此外，该芯片也适用于各类需要并行数据访问的计算模块，如FPGA开发板、DSP处理系统等，为这些系统提供高速存储支持。
IS61QDP2B44M18A-400M3B, IS61LV25618A-10B4I, CY7C028V, IDT70V28S
