PTB48510C 时间：2025/5/22 13:09:09 阅读：15

PTB48510C是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。PTB48510C通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等应用场合。
　　由于其出色的电气特性，PTB48510C非常适合需要高效能和高可靠性的电子系统设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻（典型值）：4mΩ
　　栅极电荷：27nC
　　输入电容：1150pF
　　总功耗：90W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

PTB48510C具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频操作，适合现代电源和信号切换应用。
　　3. 良好的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内保持稳定的性能。
　　4. 强大的雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
　　5. 小型化的封装设计有助于节省PCB空间，便于高密度电路布局。
　　6. 符合RoHS标准，环保且适用于全球市场。

应用

PTB48510C广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. DC-DC转换器的同步整流和主开关。
　　3. 电机控制与驱动电路。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。