时间：2025/6/28 15:09:03
阅读：13
FQP8N60C是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。其耐压值高达600V，适用于高压环境下的各种电路设计。
FQP8N60C具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能表现，同时保持良好的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.4Ω（典型值，在VGS=10V时）
总功耗：115W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压600V，能够承受高压条件下的运行需求。
2. 极低的导通电阻（在VGS=10V时为1.4Ω），有助于减少导通损耗。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用。
4. 内置雪崩能量保护功能，提高了器件在异常情况下的耐用性。
5. TO-220封装形式，具备良好的散热性能，便于安装与使用。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
FQP8N60C适用于多种高压电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
5. LED照明驱动电路。
6. 其他需要高压、大电流处理能力的电路设计。
IRF840, STP8NB60, FQPF8N60C
