型号：IRKH71/14
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：1.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：7A
　　导通电阻(RDS(on))：1.4Ω @ VGS=10V
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：360pF @ VDS=50V
　　输出电容(Coss)：90pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作温度范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PG-SOT323-3

IRKH71/14 的核心优势在于其采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。在 VGS = 10V 条件下，其 RDS(on) 典型值仅为 1.4Ω，显著降低了在中等电流条件下的导通损耗，从而提高了电源转换效率。这种低 RDS(on) 特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长电池续航时间并减少发热问题。同时，该器件支持逻辑电平驱动，即在 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压范围内即可实现充分导通，使其能够与常见的微控制器输出引脚直接接口，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计复杂度和成本。
　　该 MOSFET 具备出色的动态性能，输入电容 Ciss 仅为 360pF，输出电容 Coss 为 90pF，在高频开关应用中可有效降低驱动功耗和开关延迟。其反向恢复时间 trr 为 28ns，表明体二极管具有较快的响应速度，减少了在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰风险，提升了系统稳定性。此外，器件具备良好的热稳定性，PG-SOT323-3 封装虽小，但通过优化的内部结构和材料选择，能够在有限的空间内实现高效的热量传导，避免局部过热导致的性能下降或失效。
　　IRKH71/14 还具备高耐用性和抗应力能力，包括对静电放电（ESD）的防护以及对重复雪崩击穿的耐受能力，这些特性使其在工业环境或汽车电子等严苛应用场景中依然可靠运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）进一步增强了其适应性，可在极端高低温条件下保持正常功能。所有参数均经过严格测试和验证，确保批次一致性，满足大批量自动化生产的需求。综上所述，IRKH71/14 凭借其高性能、小尺寸、高可靠性和易用性，成为众多功率开关应用的理想选择。

IRKH71/14 广泛应用于各类中小功率电源管理系统中，尤其适用于对空间和效率要求较高的场合。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关或电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池充放电控制电路。在 DC-DC 转换器中，它常被用作同步整流器或主开关元件，特别是在降压（Buck）拓扑中，利用其低导通电阻来提升转换效率并减少热积累。此外，该器件也适用于 LED 驱动电路，作为恒流源的开关控制部分，实现精确调光和节能控制。
　　在工业控制系统中，IRKH71/14 可用于继电器驱动、电机控制、电磁阀开关等低压开关任务，凭借其快速响应能力和高可靠性保障系统稳定运行。在消费类电子产品如家用电器、智能家居设备中，可用于电源管理模块或传感器供电控制。由于其支持逻辑电平驱动，非常适合与微控制器、FPGA 或 DSP 直接连接，实现数字信号对功率负载的直接控制，简化电路架构。此外，该器件也可用于热插拔电路、USB 电源开关、充电管理 IC 的外围配套开关等场景。
　　得益于其小型化封装（PG-SOT323-3），IRKH71/14 特别适合高密度 PCB 布局设计，有利于缩小终端产品的体积。同时，其符合 RoHS 和无铅焊接工艺要求，适用于现代环保型电子产品制造。无论是在电池供电系统还是固定电源系统中，只要涉及中低电流、中高压的开关控制需求，IRKH71/14 都能提供高效、稳定的解决方案。

IKRZ71/14
　　IRLR71/14
　　BSS138