类型：高压高侧N沟道MOSFET驱动器
　　封装：16引脚DIP
　　工作电压范围：4.5V 至 28V
　　输出驱动能力：每个通道最大1.2A
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　逻辑输入类型：TTL/CMOS兼容
　　最大开关频率：1MHz
　　输出电压能力：高达28V
　　保护特性：欠压锁定（UVLO）、过热保护（OTP）
　　传输延迟：典型值50ns
　　占空比范围：0%至100%

MIC5812BN是一款高性能的MOSFET驱动器，专为高压、高侧应用设计。其主要特性包括宽工作电压范围（4.5V至28V），这使得它适用于多种电源系统。该器件采用双通道设计，每个通道可提供高达1.2A的输出电流，确保快速驱动大功率MOSFET，从而降低开关损耗。MIC5812BN支持高达1MHz的开关频率，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关控制。
　　该芯片的输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，简化了与微控制器或其他数字控制电路的接口。其传输延迟仅为50ns左右，提供快速响应，有助于提高系统的动态性能。此外，MIC5812BN集成了多种保护功能，包括欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP），以增强系统的可靠性和稳定性。
　　该器件采用16引脚DIP封装，适合工业级工作温度范围（-40°C至+125°C），适用于恶劣环境下的应用。MIC5812BN还具有低静态电流特性，有助于降低待机功耗，提高整体能效。

MIC5812BN广泛应用于需要高压、高侧MOSFET驱动的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、工业自动化设备、电源管理系统和负载开关控制。由于其高驱动能力和宽电压范围，该芯片也常用于汽车电子、电池管理系统和高功率LED驱动电路。此外，MIC5812BN可用于驱动MOSFET在电源冗余系统、热插拔电路以及高边开关等场合。

MIC5812YML, TC4420, LM5111, IR2004, NCP5101