CL31B474KBNE 时间：2025/11/13 16:49:26 阅读：19

CL31B474KBNE是一种由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R陶瓷材料类别，具有较高的电容密度，适用于需要小型化和高性能的电子电路设计。CL31B474KBNE的标称电容值为470nF（即0.47μF），额定电压为50V DC，采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，适合表面贴装技术（SMT）自动化生产。该电容器广泛应用于去耦、滤波、旁路和储能等场景，在消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制系统中均有使用。由于其稳定的电气性能和良好的温度特性，CL31B474KBNE在多种工作环境下均能保持可靠运行。此外，该产品符合RoHS环保要求，并具备无铅焊接兼容性，适应现代绿色制造的需求。CL31B474KBNE通过严格的生产控制和质量管理体系，确保了批次间的一致性和长期使用的可靠性，是许多中高压应用中的优选被动元件之一。

参数

电容: 470nF
　　容差: ±10%
　　额定电压: 50V DC
　　温度特性: X5R (±15% @ -55°C to +85°C)
　　封装尺寸: 0805 (2012)
　　长度: 2.0mm
　　宽度: 1.2mm
　　高度: 1.25mm
　　工作温度范围: -55°C ~ +85°C
　　介质材料: 钛酸钡基 (BaTiO3)
　　安装类型: 表面贴装 (SMD)
　　端接类型: Ni-Sn (镍锡) 涂层
　　电容频率特性: 典型值在1kHz下测量
　　直流偏压特性: 随电压增加电容略有下降
　　老化率: 约2.5%每十年（X5R材料典型值）

特性

CL31B474KBNE所采用的X5R陶瓷介质材料赋予其优异的温度稳定性，能够在-55°C至+85°C的宽温范围内维持电容值的变化不超过±15%，这使其非常适合用于对温度变化较为敏感的应用环境。相比其他高介电常数材料如Y5V，X5R在温度稳定性和电容密度之间实现了良好平衡，因此在众多工业和消费类应用中被广泛采纳。
　　该电容器具有较小的封装尺寸（0805），却能提供高达470nF的电容值，体现了现代MLCC在微型化方面的技术进步。这种高电容体积比使得设计人员可以在有限的PCB空间内实现更高的功能集成度，尤其适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　CL31B474KBNE的50V额定电压使其能够胜任中等电压应用场景，例如电源轨的去耦滤波、DC-DC转换器输入输出端的平滑处理以及信号路径中的交流耦合。同时，其直流偏压特性相对稳定，在接近额定电压时电容下降幅度可控，确保电路性能不会因电压波动而显著偏离设计预期。
　　该器件采用镍锡（Ni-Sn）端电极结构，具备良好的可焊性和抗迁移能力，能够在回流焊工艺中形成可靠的机械与电气连接。此外，其符合RoHS指令且不含卤素，满足当前环保法规的要求，适用于全球市场的电子产品出口需求。
　　在长期可靠性方面，CL31B474KBNE经过严格的寿命测试和环境应力筛选，表现出低失效率和高耐湿性，能够在恶劣环境中长期稳定运行。其老化特性也较为温和，电容值随时间缓慢降低，便于系统进行裕量设计。总体而言，这款MLCC在性能、尺寸、可靠性和成本之间达到了理想平衡，是现代电子设计中常用的通用型陶瓷电容器之一。

应用

CL31B474KBNE广泛应用于各类电子设备中的去耦和滤波电路。在数字系统中，它常被用作微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚旁路电容，有效抑制高频噪声并稳定供电电压，防止因瞬态电流变化引起的电压波动影响芯片正常工作。在电源管理单元中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波，平滑开关噪声，提高电源效率和输出稳定性。
　　在模拟电路中，CL31B474KBNE可用于信号耦合和级间隔离，特别是在音频处理或传感器信号调理路径中，作为交流耦合电容使用，阻隔直流分量的同时传递有用信号。其较低的等效串联电阻（ESR）和适中的电容值有助于减少信号衰减和相位失真。
　　此外，该器件也常见于接口电路保护设计中，例如USB、HDMI或其他高速数据线路的噪声抑制，配合磁珠或TVS二极管构成完整的EMI滤波网络，提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　在消费类电子产品如智能手机、路由器、电视和机顶盒中，CL31B474KBNE因其小尺寸和高可靠性而被大量采用。工业控制设备、医疗仪器和汽车电子模块（非动力系统部分）同样适用此型号，尤其是在工作温度范围较宽但无需极端高温特性的场合。
　　由于其标准化的封装和广泛的供货渠道，CL31B474KBNE也成为原型开发和批量生产中的常用物料，有利于缩短研发周期和降低供应链复杂度。