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IS43DR81280C-3DBL 发布时间 时间:2025/9/1 8:32:12 查看 阅读:4

IS43DR81280C-3DBL 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速、低功耗的异步SRAM系列,主要设计用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。该SRAM的存储容量为128K x 8位,采用标准的异步接口,适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。IS43DR81280C-3DBL 采用55纳米工艺制造,确保了在高速操作下的稳定性和低功耗特性。该芯片的工作温度范围广泛,适用于工业级环境。

参数

容量:128K x 8位
  组织:1Mbit
  访问时间:10ns
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大工作频率:100MHz
  功耗(典型值):100mA(待机模式下低于10mA)

特性

IS43DR81280C-3DBL 具有多个显著的技术特性,使其在众多SRAM芯片中脱颖而出。首先,其高速访问时间(10ns)使得数据读取和写入操作非常迅速,能够满足对响应时间要求严格的应用需求。此外,该芯片支持异步操作模式,这意味着它可以灵活地与各种微处理器和控制器配合使用,而不需要特定的时钟同步信号。
  其次,该SRAM芯片在电源电压方面具有较宽的工作范围(2.3V 至 3.6V),使其能够适应不同的电源设计需求,增强了系统的兼容性和灵活性。在功耗方面,IS43DR81280C-3DBL 表现出优异的能效特性,其待机模式下的电流消耗极低(小于10mA),非常适合对能耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
  另外,IS43DR81280C-3DBL 还具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),可在恶劣的环境条件下可靠运行。这使得该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品中。
  从封装角度来看,该芯片采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装尺寸和较高的集成度,适合高密度PCB布局设计。此外,TSOP封装有助于提高散热性能,从而进一步提升芯片的长期稳定性和可靠性。

应用

IS43DR81280C-3DBL 的应用场景非常广泛。由于其高速度、低功耗和宽电压范围的特性,它常被用于网络设备、路由器、交换机、打印机、工业控制器、汽车电子系统等。在嵌入式系统中,该芯片可以作为高速缓存或临时数据存储单元,用于提高系统整体的运行效率。同时,该芯片也适用于手持设备、智能仪表、视频监控设备等对空间和能耗有较高要求的产品中。此外,在测试设备和测量仪器中,IS43DR81280C-3DBL 可作为临时数据缓冲存储器,用于提高数据采集和处理的速度与稳定性。

替代型号

IS43DR81280C-3DBL 的替代型号包括 IS43LV16128A-3TLI 和 CY62148E的某些变种,这些型号在引脚兼容性和性能参数方面具有相似性,可根据具体设计需求进行替换选择。

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IS43DR81280C-3DBL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格484 : ¥25.90814托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)