时间：2025/7/23 3:05:22
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STP25NM50N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种高功率开关应用，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点。STP25NM50N的额定电压为500V，最大连续漏极电流可达25A，因此非常适合用于电源转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：25A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
功率耗散（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
STP25NM50N具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的平面条形技术，提供了更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有较高的热稳定性，能够在高功率工作条件下保持良好的性能，适用于紧凑型设计和高密度功率系统。
此外，STP25NM50N的栅极结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，并增强了抗雪崩能力，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合在恶劣环境中使用。
由于其高耐压能力和较大的额定电流，STP25NM50N在各种功率变换器中被广泛应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器和电子照明控制系统等。此外，该MOSFET的可靠性和耐用性也使其成为工业自动化设备和消费类电子产品中的理想选择。
STP25NM50N广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? 电源管理与转换系统（如开关电源、UPS不间断电源）
? 电机控制与驱动（如变频器、直流电机控制器）
? 照明系统（如LED驱动器、高压气体放电灯控制）
? 工业自动化设备（如PLC控制模块、传感器电源管理）
? 消费类电子产品（如电视、音响设备、智能家电中的功率开关）
? 新能源应用（如太阳能逆变器、储能系统）
STP25NM50ND, STP20NM50N, STP17NM50N
