容量：1Gb
　　接口类型：8位并行 NAND 接口
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　存储器类型：非易失性NAND闪存

H27S1G8F2BFR-BIR NAND闪存芯片具有多个显著的特性，首先，其1Gb的存储容量适合多种嵌入式应用需求。该芯片支持8位并行接口，可以实现较高的数据传输速率，适用于需要快速数据存取的系统。其供电电压为3.3V，符合常见的嵌入式电源设计标准，降低了功耗并提高了能效。
　　此外，H27S1G8F2BFR-BIR 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够满足工业级温度要求，确保在恶劣环境下的稳定运行。该芯片的读取速度可达到50MB/s，写入速度可达20MB/s，同时块擦除时间仅需约2ms，这些特性使其在实时系统中表现优异。
　　在可靠性方面，H27S1G8F2BFR-BIR 提供了强大的错误校正码（ECC）功能，支持数据完整性保护。其TSOP封装设计不仅节省空间，还提高了机械稳定性和散热性能。这些特性使得该芯片广泛应用于需要高可靠性和高性能存储的场合。

H27S1G8F2BFR-BIR NAND闪存芯片因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中，该芯片可用于存储操作系统、固件和用户数据。例如，在工业控制设备中，H27S1G8F2BFR-BIR 提供了快速的数据访问和稳定的运行性能，满足工业环境对可靠性的要求。
　　在消费电子领域，该芯片适用于数字电视、机顶盒、游戏机和其他需要大容量存储的设备。由于其并行接口的设计，H27S1G8F2BFR-BIR 也适合用于需要高速数据传输的场景，如数码相机和视频监控设备。
　　此外，H27S1G8F2BFR-BIR 还可用于通信设备、网络设备和车载电子系统，提供持久的数据存储解决方案。其宽温度范围支持使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于汽车电子和工业自动化等应用。

H27U1G8F2BJR-BITR, H27S1G8F2BFR-BIT, H27S1G8F2CTR-BIT