类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：40V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

3N89晶体管具有优异的电流放大特性，其典型电流增益（hFE）范围在110至800之间，具体值取决于工作电流和制造批次。它能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合各种电子设备使用。该晶体管的功耗较低，适用于电池供电设备和低功耗电路。此外，3N89在音频放大应用中表现出良好的线性特性，能够提供清晰的音频输出。其TO-92封装形式使其易于安装在PCB板上，并且具有良好的散热性能，确保在正常工作条件下不会出现过热问题。
　　在电气特性方面，3N89的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）较低，有助于减少开关损耗，提高电路效率。同时，其高频响应能力虽然不如专用射频晶体管，但在低频和中频应用中表现良好。晶体管的噪声系数较低，使其在前置放大电路中尤为适用。此外，3N89的输入阻抗较高，能够有效隔离前后级电路，减少信号干扰。

3N89晶体管广泛应用于音频放大器、前置放大电路、信号发生器、振荡器、开关电路以及各种低频电子设备中。在音响系统中，它常用于前级放大以提高信号强度；在工业控制电路中，3N89可以用于驱动继电器或小型电机。此外，它也适用于实验教学、电子制作和维修替换等场景。由于其高可靠性和广泛的适用性，3N89在电子爱好者和工程技术人员中享有较高的声誉。

2N3904, BC547, 2N2222