SSU4N60 时间：2025/8/25 0:03:31 阅读：7

SSU4N60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理与功率转换应用中。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。SSU4N60的封装形式为TO-220，便于散热并确保在高功率环境下的稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（典型值）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

SSU4N60具备多项高性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源电压（Vds）允许其在高压环境中稳定工作，适用于多种工业和消费类电子产品。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常小于2.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体能效。此外，其最大连续漏极电流为4A，支持中等功率级别的开关操作。
　　该器件的栅源电压范围为±30V，具备良好的抗过压能力，提高了在复杂电路环境中的可靠性。其TO-220封装不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保在高功率应用下的稳定运行。SSU4N60还具备较高的热稳定性与耐久性，能够在较宽的温度范围内（-55°C至+150°C）正常工作，适应各种严苛环境条件。

应用

SSU4N60适用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器、家电控制模块以及工业自动化设备等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理特性，该器件在要求高效能和高可靠性的设计中表现出色，是众多中功率应用的首选MOSFET之一。