时间：2025/6/29 12:08:28
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RF03N0R2C250CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频射频应用设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于无线通信、雷达系统以及功率放大器等应用场景。
这款芯片采用先进的封装技术，确保在高频条件下具备优异的热性能和电气性能。其卓越的击穿电压和低寄生电容特性使其成为高性能射频应用的理想选择。
型号：RF03N0R2C250CT
类型：GaN HEMT
工作频率范围：DC 至 3 GHz
漏源电压 (Vds)：100 V
栅源电压 (Vgs)：-6 V 至 +6 V
连续漏极电流 (Id)：3 A
峰值脉冲漏极电流：8 A
导通电阻 (Rds(on))：25 mΩ
输入电容 (Ciss)：750 pF
输出电容 (Coss)：40 pF
反向传输电容 (Crss)：15 pF
功耗：250 W
封装形式：TO-263
RF03N0R2C250CT 具备以下关键特性：
1. 高开关速度：得益于氮化镓材料的优异特性，该器件可实现快速开关操作，从而提高效率并降低开关损耗。
2. 低导通电阻：仅为 25 毫欧姆，能够显著减少传导损耗。
3. 高击穿电压：支持高达 100V 的漏源电压，确保稳定运行。
4. 小型化设计：采用紧凑型 TO-263 封装，便于集成到各种射频电路中。
5. 高可靠性：经过严格测试，能够在极端环境下长期可靠运行。
6. 热性能优异：具备良好的散热能力，可有效降低工作温度，提升整体性能。
RF03N0R2C250CT 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：用于无线通信基站、卫星通信设备等。
2. 雷达系统：提供高效的射频信号处理能力，适用于气象雷达、空中交通管制雷达等。
3. 医疗设备：如超声波成像仪中的高频信号放大。
4. 工业加热与等离子体生成：在高频感应加热、焊接和等离子体激发中发挥重要作用。
5. 测试与测量仪器：为高端示波器、频谱分析仪等提供高性能射频驱动。
RF03N0R2C200CT, RF03N0R2D250CT
