类型：功率MOSFET模块
　　材料：碳化硅（SiC）
　　最大漏极电流：1200A
　　最大漏源电压：1200V
　　导通电阻：15mΩ
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　冷却方式：强制风冷或水冷
　　绝缘等级：Class H
　　短路耐受能力：10μs@1200V

SIG01-12模块的最大优势在于其基于碳化硅的材料特性，使其能够在高电压和高温度条件下保持优异的性能。碳化硅材料的宽禁带特性使得该模块的导通电阻更低，开关损耗更小，从而提高了整体系统的效率。
　　该模块具有极高的热导率，能够有效散热，确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。此外，其短路耐受能力达到10μs@1200V，意味着在极端条件下也能保持较高的安全性。
　　SIG01-12的封装设计优化了电流分布和热管理，减少了电磁干扰（EMI），并提高了系统的整体稳定性。其双列直插式封装设计便于安装和维护，适用于多种复杂的工业环境。
　　模块的工作温度范围为-55°C至+175°C，适应各种极端环境条件，确保在高温环境下仍能保持优异的性能。此外，该模块的绝缘等级为Class H，进一步提高了其安全性和可靠性。

SIG01-12模块广泛应用于电动汽车的逆变器和充电系统，能够提供高效的能量转换和稳定的电力输出。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，该模块可以显著提高系统的转换效率，并降低能量损耗。
　　在工业电源领域，SIG01-12模块被用于高功率电源转换设备，如不间断电源（UPS）和电焊机，能够提供稳定的电力输出并提高设备的整体效率。此外，在电力电子变换器中，该模块可用于高频开关应用，提高系统的响应速度和稳定性。
　　由于其优异的短路耐受能力和高可靠性，SIG01-12模块还被广泛应用于轨道交通和智能电网等高要求领域，确保在复杂环境下的稳定运行。

CMF1200120D3S011, CAS120M12BM2