BUK573-60是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:18A
栅源电压:±20V
导通电阻:9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:115W
工作结温范围:-55℃至+150℃
BUK573-60具有优秀的电气性能和可靠性,以下是其主要特性:
1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提高了效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用。
3. 内置反向二极管,能够有效应对感性负载的瞬态电流。
4. 符合RoHS标准,环保设计。
5. 具有较高的雪崩击穿能量(EAS),增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
6. 热稳定性好,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
该功率MOSFET广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的领域,包括但不限于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关或续流二极管替代元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载切换和保护电路中的电子开关。
5. 电池管理系统(BMS)中的电流控制元件。
6. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
IRFZ44N, STP18NF55, FDP55N60