类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：4.7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：18.8A
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻Rds(on) @Vgs=4.5V：42mΩ
　　导通电阻Rds(on) @Vgs=2.5V：65mΩ
　　导通电阻Rds(on) @Vgs=1.8V：95mΩ
　　阈值电压（Vth）@Id=250μA：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）@Vds=15V：380pF
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOIC-8

IRLML6302PBF采用了Infineon成熟的沟槽式MOSFET工艺，这种结构通过优化载流子流动路径显著降低了导通电阻，从而提高了能效并减少了功率损耗。该器件的关键优势之一是其超低的栅极驱动需求，可在1.8V至2.5V的低Vgs电压下正常工作，使其成为低压逻辑控制和电池供电系统的理想选择。在实际应用中，这意味着即使在电池电量下降的情况下，MOSFET仍能保持较高的导通状态，避免因驱动不足导致的发热或性能下降。
　　该MOSFET具有非常低的输入电容和输出电容，这有助于减少开关过程中的能量损失，提升高频开关应用下的整体效率。例如，在同步降压变换器中，作为低端开关使用时，其快速的开关速度和低Qg（总栅极电荷）特性能够有效降低驱动功耗和动态损耗。同时，其较短的反向恢复时间也减小了体二极管在续流过程中产生的反向恢复电荷，进一步提升了系统的转换效率。
　　热性能方面，SO-8封装虽然体积小巧，但通过优化引脚布局和内部连接结构，实现了较好的散热能力。在PCB上合理布设接地焊盘或添加散热过孔，可以显著提高其持续电流承载能力。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性，增强了在异常工况下的可靠性。内置的体二极管也为感性负载提供了必要的续流路径，避免电压尖峰损坏其他组件。
　　IRLML6302PBF还表现出优异的温度稳定性，其Rds(on)随温度变化的曲线相对平缓，确保在高温环境下依然保持较低的导通损耗。这一特性对于工业级或汽车电子等严苛环境下的应用尤为重要。综合来看，该器件以其低导通电阻、低驱动电压要求、优良的开关特性和紧凑封装，在众多小型化、高效化电源设计中占据重要地位。

IRLML6302PBF广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制，利用其低静态电流和快速响应能力实现对外设电源的精确启停管理，从而延长电池续航时间。在DC-DC转换器拓扑结构中，特别是同步整流降压电路中，它常被用作低边开关，凭借其低Rds(on)和快速开关特性来提升整体转换效率，尤其适用于多相供电或分布式电源架构。
　　此外，该器件也适用于电机驱动应用，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为四个桥臂开关之一，其低导通电阻有助于减少发热，提高驱动效率。在热插拔控制器、USB电源开关、LED背光驱动及电池充电管理模块中，IRLML6302PBF同样表现出色，能够安全地控制大电流路径的通断，防止浪涌电流冲击系统。工业自动化设备中的传感器电源控制、PLC数字输出模块以及嵌入式控制系统中的继电器替代方案也是其典型应用场景。
　　得益于其SMD封装形式，该MOSFET适用于高度自动化的表面贴装生产工艺，适合大批量生产。同时，其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围使其不仅可用于商业级设备，也可延伸至部分工业和汽车电子辅助系统中。随着对能效和小型化要求的不断提升，IRLML6302PBF在各类高集成度、低功耗电子产品中的应用将持续扩大。

IRLML6301TRPBF
　　SI2302DS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDS6670A
　　FDN340P