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NTMFD4902NFT3G-S 发布时间 时间:2025/5/8 17:17:07 查看 阅读:3

NTMFD4902NFT3G-S 是一款来自安森美(ON Semiconductor)的超低电容、高速开关二极管,采用微型DFN封装。这种二极管具有较低的正向电压和快速的恢复时间,适用于高频开关电路和电源管理应用。
  该型号主要设计用于需要高效率和小尺寸解决方案的场景,例如便携式电子设备、通信设备和消费类电子产品中的整流或保护电路。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流(IF):2A
  最大反向电压(VR):40V
  正向电压降(VF) @ 1A:0.35V
  反向漏电流(IR) @ 25℃:10μA
  结电容(Cj) @ VR=0V:7pF
  恢复时间(trr):25ns
  工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +150℃
  封装:DFN3x3-2(SuperSOT-363)
  湿度敏感等级(MSL):3

特性

NTMFD4902NFT3G-S 具有以下显著特点:
  1. 超低正向电压降,有助于减少功耗并提高系统效率。
  2. 快速恢复时间,适合高频开关应用。
  3. 小型DFN封装,节省PCB空间,非常适合紧凑型设计。
  4. 低反向漏电流,确保在高温环境下的稳定性能。
  5. 宽工作温度范围,支持极端环境下的可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款二极管广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的续流二极管。
  3. 电池充电器中的反向电流保护。
  4. 通信设备中的高频信号整流。
  5. 消费类电子产品的过压保护电路。
  6. 工业控制系统的电源管理模块。

替代型号

NTMS4902NHT1G
  SS490
  MSS490

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NTMFD4902NFT3G-S参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.3A(Ta),13.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 毫欧 @ 10A,10V,4.1 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19.1nC @ 10V,24.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1150pF @ 15V,1590pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.1W(Ta),1.16W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)