时间：2025/8/13 20:22:24
阅读：11
SF11G是一款常用的硅基N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率控制应用中。该器件具有高电流能力和低导通电阻的特点，适用于多种电子设备中的开关应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
SF11G MOSFET具有优异的导通性能和较高的开关速度，适合用于高频开关电路。该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，SF11G还具有较强的过载和瞬态电压承受能力，适用于要求较高的工业和消费类电子应用。
在实际应用中，SF11G常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理模块以及各类功率开关电路中。其TO-220封装形式便于散热，适合焊接在标准PCB板上，并具有良好的机械强度和电气隔离性能。
SF11G广泛应用于电源适配器、开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。
IRFZ44N, FQP11N10L, SI4410DY
