IPF04N03LA 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效率和小型化的电路设计。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理以及消费类电子产品的电源管理。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V,连续漏极电流为 4A,导通电阻低至 75mΩ(典型值),能够在高频条件下保持高效运行。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4A
导通电阻:75mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:6nC(典型值)
总功耗:470mW
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
IPF04N03LA 具有出色的性能和可靠性,主要特点如下:
1. 极低的导通电阻确保了更高的转换效率,降低了热损耗。
2. 快速开关能力支持高频操作,适合现代高效电源设计。
3. 小型化 SOT-23 封装节省了 PCB 空间,非常适合紧凑型设计。
4. 高雪崩能量能力增强了器件在过载或异常情况下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。
6. 可靠的电气性能使其能够适应各种严苛的工作环境。
IPF04N03LA 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和降压/升压转换。
2. 消费类电子产品中的负载开关和电池保护功能。
3. 便携式设备的电源管理系统,如智能手机、平板电脑等。
4. 电机驱动和 LED 驱动电路中的功率开关元件。
5. 通信设备中的信号调节和功率控制。
6. 各种工业自动化设备中的小型化功率控制模块。
BSS138, FDN340P, SI2302DS