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IPF04N03LA 发布时间 时间:2025/7/1 3:46:23 查看 阅读:8

IPF04N03LA 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效率和小型化的电路设计。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理以及消费类电子产品的电源管理。
  该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V,连续漏极电流为 4A,导通电阻低至 75mΩ(典型值),能够在高频条件下保持高效运行。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:75mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:6nC(典型值)
  总功耗:470mW
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

IPF04N03LA 具有出色的性能和可靠性,主要特点如下:
  1. 极低的导通电阻确保了更高的转换效率,降低了热损耗。
  2. 快速开关能力支持高频操作,适合现代高效电源设计。
  3. 小型化 SOT-23 封装节省了 PCB 空间,非常适合紧凑型设计。
  4. 高雪崩能量能力增强了器件在过载或异常情况下的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。
  6. 可靠的电气性能使其能够适应各种严苛的工作环境。

应用

IPF04N03LA 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和降压/升压转换。
  2. 消费类电子产品中的负载开关和电池保护功能。
  3. 便携式设备的电源管理系统,如智能手机、平板电脑等。
  4. 电机驱动和 LED 驱动电路中的功率开关元件。
  5. 通信设备中的信号调节和功率控制。
  6. 各种工业自动化设备中的小型化功率控制模块。

替代型号

BSS138, FDN340P, SI2302DS

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IPF04N03LA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.8 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 30μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)41 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5199 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)115W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-23
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63