时间：2025/7/1 3:46:23
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IPF04N03LA 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效率和小型化的电路设计。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理以及消费类电子产品的电源管理。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，连续漏极电流为 4A，导通电阻低至 75mΩ（典型值），能够在高频条件下保持高效运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4A
导通电阻：75mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：6nC（典型值）
总功耗：470mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
IPF04N03LA 具有出色的性能和可靠性，主要特点如下：
1. 极低的导通电阻确保了更高的转换效率，降低了热损耗。
2. 快速开关能力支持高频操作，适合现代高效电源设计。
3. 小型化 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
4. 高雪崩能量能力增强了器件在过载或异常情况下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际法规要求。
6. 可靠的电气性能使其能够适应各种严苛的工作环境。
IPF04N03LA 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和降压/升压转换。
2. 消费类电子产品中的负载开关和电池保护功能。
3. 便携式设备的电源管理系统，如智能手机、平板电脑等。
4. 电机驱动和 LED 驱动电路中的功率开关元件。
5. 通信设备中的信号调节和功率控制。
6. 各种工业自动化设备中的小型化功率控制模块。
BSS138, FDN340P, SI2302DS
