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FDD2572 发布时间 时间:2025/4/29 10:13:44 查看 阅读:7

FDD2572 是一款高性能、双通道 MOSFET 驱动器芯片,专为驱动 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 而设计。它具有高输出电流能力,能够快速开关功率器件,同时提供多种保护功能以确保系统可靠性。这款驱动器适用于各种工业应用以及电源管理场景,例如电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器等。

参数

供电电压:4.5V 至 18V
  输出源电流:高达 2A
  输出灌电流:高达 2A
  传播延迟:典型值 30ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-8
  输入阈值电压(低电平):最大 0.8V
  输入阈值电压(高电平):最小 2.0V
  静态电流:典型值 2mA

特性

FDD2572 提供了强大的驱动能力,适合要求快速切换的应用场合。其双通道设计允许同时控制两个独立的 MOSFET 或 IGBT,从而简化电路设计并减少元件数量。
  该芯片内置了多种保护机制,包括欠压锁定(UVLO)、短路保护和热关断功能,确保在异常条件下设备的安全运行。此外,它的输入兼容标准 CMOS 和 TTL 逻辑电平,方便与微控制器或其他数字信号源连接。
  FDD2572 的低传播延迟和高抗噪能力使其能够在高频应用中保持稳定性能,而紧凑的 SOIC-8 封装则有助于节省 PCB 空间。

应用

FDD2572 广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的领域。常见的应用场景包括但不限于以下几种:
  1. 电机驱动器中的桥式电路控制。
  2. 开关电源(SMPS)及 DC-DC 转换器。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  4. 工业自动化设备中的继电器和接触器驱动。
  5. LED 驱动器和高亮度照明系统。
  6. 各种电池管理系统(BMS)中的电子开关控制。

替代型号

FAN7382, TC4420

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FDD2572参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1770pF @ 25V
  • 功率 - 最大135W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD2572-NDFDD2572TR