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PDTB143XQAZ 发布时间 时间:2025/9/14 16:59:10 查看 阅读:22

PDTB143XQAZ 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于内置偏置电阻的晶体管(Bias Resistor Transistor,BRT)系列。该器件集成了一个 NPN 晶体管以及两个用于偏置电路的内置电阻器,简化了电路设计并减少了外围元件数量。PDTB143XQAZ 常用于数字开关电路、逻辑电平转换、继电器驱动、LED 控制等应用场景。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  电流增益(hFE):典型值 80 @ IC=2mA, VCE=5V
  偏置电阻值:R1=10kΩ,R2=10kΩ
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(SC-59)

特性

PDTB143XQAZ 的主要特性之一是其集成的偏置电阻结构,R1 和 R2 分别连接在基极和发射极之间,以及基极与外部控制信号之间,这使得晶体管可以直接通过数字信号驱动,而无需额外的偏置电路设计。这种集成化设计不仅节省了PCB空间,还提高了电路的稳定性和可靠性。
  此外,该器件具有较高的耐压能力(VCEO=50V),适用于多种低压和中压控制应用。最大集电极电流为100mA,足以驱动小型继电器、发光二极管(LED)和逻辑门电路等负载。其封装形式为SOT-23,是一种小型表面贴装封装,便于自动化生产和高密度布局。
  PDTB143XQAZ 还具有良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多种环境。由于其内置电阻的精确匹配和一致性,晶体管的开关特性较为稳定,有助于减少生产过程中因外部元件误差带来的性能波动。
  另外,该晶体管的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +150°C,适合在极端温度条件下使用,增强了其在各种应用环境中的适应性。

应用

PDTB143XQAZ 主要应用于需要数字信号控制的开关电路中,例如微控制器与负载之间的接口电路。其典型应用包括LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换、音频放大电路中的预驱动级、传感器信号调节电路等。
  在工业自动化领域,PDTB143XQAZ 可用于PLC模块中的输入/输出接口电路,作为开关控制元件,将数字信号转换为对执行器(如指示灯、小型继电器等)的控制。
  在消费电子产品中,该晶体管常用于便携式设备的LED背光控制、按钮输入检测以及电池管理系统中的开关控制。
  在汽车电子中,PDTB143XQAZ 可用于车身控制模块(BCM)中,如车灯控制、雨刷控制、仪表盘显示驱动等应用,其高可靠性和宽温度范围使其特别适合车载环境。
  此外,该器件也广泛用于电源管理电路中,作为低边开关来控制负载的通断,从而实现节能或故障保护功能。

替代型号

PDTA143XQAZ, PMBT3904, 2N3904, BC847B, MMBT3904

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PDTB143XQAZ参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥0.46019卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)70 @ 50mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA
  • 频率 - 跃迁150 MHz
  • 功率 - 最大值325 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装DFN1010D-3