时间：2025/12/29 13:52:25
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HGTG20N60C3是一款高功率、高电压的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件设计用于高效率电源转换系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制和工业逆变器等应用。其额定电压为600V，最大连续漏极电流为20A，具备较低的导通电阻和快速开关特性，能够有效降低导通损耗和开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）：20A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.26Ω（最大值，典型值0.22Ω）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
功耗（PD）：200W
漏极-源极击穿电压：600V
栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
漏极-栅极电容（Crss）：50pF（典型值）
HGTG20N60C3具有多个优异的电气特性，使其适用于高功率和高频开关应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损失，提高整体能效。此外，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压应用，包括工业电源和电机驱动系统。HGTG20N60C3采用先进的平面工艺技术制造，具备良好的热稳定性和可靠性，在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行。该器件的TO-247封装形式具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
另外，HGTG20N60C3还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。这种特性对于需要承受瞬态高压和电流冲击的应用尤为重要，例如电动工具、工业逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
HGTG20N60C3广泛应用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制、逆变器、功率因数校正（PFC）模块、工业自动化设备和LED照明驱动电路。在SMPS中，它可用于高压DC-DC转换器和高压AC-DC电源，以提高转换效率并减少发热。在电机控制和逆变器系统中，HGTG20N60C3的快速开关特性和低导通电阻使其成为理想的功率开关器件。此外，该MOSFET也常用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新兴领域。
STP20N60C3, FGL20N60C3, FQP20N60C3
