时间：2025/9/14 9:42:18
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PBLS1501Y,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LFPAK56 封装形式，适用于高效率功率转换应用。该器件具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：110W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：LFPAK56
PBLS1501Y,115 采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
该器件的封装设计优化了热性能，能够在高电流条件下保持良好的散热能力，从而提高整体系统的稳定性和可靠性。
其高电流承载能力和低开关损耗使其非常适合用于高频开关电源应用，如同步整流、DC-DC 转换器等。
此外，该 MOSFET 具备较高的雪崩能量承受能力，可在负载突变或短路情况下提供更好的保护性能。
栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，便于与各种控制电路兼容。
整体设计符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和汽车电子应用。
PBLS1501Y,115 主要用于高性能功率转换系统中，如服务器电源、通信电源、电池管理系统、电动工具、电动车辆的 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路以及同步整流模块等。
其低导通电阻和高电流能力使其在高功率密度设计中具有显著优势。
在汽车电子应用中，可作为功率开关用于车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器等场景。
此外，该器件也可用于工业自动化设备中的电源管理和电机控制电路。
IRF6665TRPBF, SiR344DP-T1-GE3, BSC080N03MS G, IPB018N04N3 G
