容量：10Mbit
　　组织结构：36位宽
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：10ns
　　功耗：典型值为1.5W
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

63LSW10000M36X83 SRAM模块具有多项优异的性能特点。首先，它具备高速访问能力，访问时间仅为10ns，适用于对时间要求严格的实时系统。模块的工作电压为3.3V，能够在低电压条件下保持稳定运行，同时降低功耗。其CMOS制造工艺不仅提升了模块的集成度，还有效减少了漏电流，使功耗控制在较低水平，典型值为1.5W。
　　该模块的存储容量为10Mbit，采用36位宽的数据总线设计，适用于高带宽应用场景，如高速缓存、网络设备和数据交换系统。封装形式为TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度电路板布局。
　　此外，63LSW10000M36X83具有宽工作温度范围（-40°C至+85°C），符合工业级标准，确保在恶劣环境下仍能可靠运行。其高可靠性和稳定性使其广泛应用于工业自动化、通信基础设施和嵌入式系统等领域。

63LSW10000M36X83 SRAM模块主要应用于对数据存储速度和可靠性要求较高的系统中。例如，在工业控制设备中，它可以作为高速缓存，用于临时存储关键数据和指令；在通信设备中，如路由器和交换机，该模块可提供快速的数据缓冲，提高数据传输效率；在嵌入式系统中，如高端微控制器和FPGA系统，它可用于存储程序和实时数据，确保系统运行的高效性。
　　此外，该模块还可用于测试测量设备、医疗电子设备和航空航天系统，这些领域对数据处理速度和稳定性有较高要求。其工业级温度范围和低功耗特性，也使其适用于户外设备和远程监测系统。

63LSW10000M36X83的替代型号包括CY63LSW10000M36X83和IDT71V41000M36X83。这些型号在功能和电气特性上具有较高的兼容性，能够满足类似的应用需求。