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GA0805A121GXBBC31G 发布时间 时间:2025/6/9 12:22:07 查看 阅读:4

GA0805A121GXBBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管。它采用先进的 GaN 工艺制造,具有高效率、高频开关和低导通电阻等特性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电、电机驱动等多种应用领域。
  该器件通常用于提升系统效率并减小整体解决方案尺寸,是传统硅基 MOSFET 的理想替代品。

参数

型号:GA0805A121GXBBC31G
  类型:增强型功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关频率:支持高达 5MHz
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

GA0805A121GXBBC31G 具有以下显著特点:
  1. 高效率:得益于其低导通电阻和低开关损耗,能够在高频操作下实现更高的转换效率。
  2. 快速开关速度:相比传统的硅 MOSFET,GaN 器件能够以更快的速度切换状态,减少开关时间及相关的能量损失。
  3. 紧凑设计:由于其高频性能,可以使用更小的无源元件(如电感和电容),从而降低整个系统的体积和重量。
  4. 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  5. 易于驱动:优化后的栅极结构使其可以直接与现有驱动器兼容,无需额外电路调整。
  这些优势使 GA0805A121G 成为高性能电源转换的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器等设备中的功率转换部分。
  2. DC-DC 转换器:用于汽车电子、工业控制等领域中的电压调节模块。
  3. 无线充电系统:提供高效的功率传输方案。
  4. LED 驱动器:满足高亮度照明的需求。
  5. 电机驱动:支持从小型家用电器到大型工业设备的各种电机控制应用。
  通过利用其高速开关特性和高效性能,GA0805A121G 在众多电力电子应用中展现出卓越的表现。

替代型号

GA0805A121GXBBE31G
  GA0805A121GXBBF31G
  GA0805A121GXBBH31G

GA0805A121GXBBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-