时间：2025/5/12 13:31:46
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IRFL024Z 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装 SO-8 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用和功率转换电路。
其设计旨在提高效率并降低功耗，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理以及电机驱动等领域。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：25mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：570pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
IRFL024Z 提供了较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，并且其快速开关性能使其非常适合高频应用。
此外，该器件具有出色的热稳定性和耐用性，能够在恶劣环境下保持可靠运行。
由于采用了 SO-8 封装，它具备良好的散热特性和较小的占板面积，适合紧凑型设计。
另外，IRFL024Z 的阈值电压较低，能够与低压逻辑电路直接兼容，简化了驱动电路设计。
该 MOSFET 主要用于各种电源管理和功率转换场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. 降压和升压 DC-DC 转换器
3. 笔记本电脑及平板设备中的负载开关
4. 电池保护和充电管理系统
5. 小型电机驱动与控制
6. 通信设备中的高效功率分配
IRLZ44N, FDS6670A, AO3400A
