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AUIRFR2905ZTR 发布时间 时间:2025/7/10 22:32:19 查看 阅读:8

AUIRFR2905ZTR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263-3L封装形式。这款器件主要设计用于汽车级应用,具有高可靠性、低导通电阻和出色的开关性能。其坚固的结构使其非常适合需要承受高电流和高电压的应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:11nC
  总电容:130pF
  工作温度范围:-40℃至175℃
  封装形式:TO-263-3L

特性

AUIRFR2905ZTR是一款针对汽车领域优化的功率MOSFET,具备以下特点:
  1. 高温稳定性:工作温度高达175℃,适用于恶劣环境下的汽车电子系统。
  2. 极低的导通电阻:仅为3.8mΩ,有助于减少传导损耗,提高效率。
  3. 快速开关能力:低栅极电荷(11nC)确保了快速开关,从而降低了开关损耗。
  4. 汽车级认证:符合AEC-Q101标准,确保在汽车应用中的高可靠性和长寿命。
  5. 小型化封装:TO-263-3L封装节省空间,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 耐用性:具备强大的雪崩能力和短路耐受能力,增强了系统的安全性。

应用

该器件广泛应用于各种汽车电子系统中,包括但不限于:
  1. 电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的电机控制。
  2. 汽车电源管理系统中的负载开关。
  3. 车载充电器(OBC)和其他DC-DC转换器电路。
  4. 制动系统、转向系统等需要高效功率切换的场合。
  5. 各种汽车照明系统中的驱动电路。
  由于其优越的性能和可靠性,AUIRFR2905ZTR是现代汽车电子设计中的理想选择。

替代型号

IRFR2905ZPBF

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AUIRFR2905ZTR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫欧 @ 36A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)