晶体管类型：NPN + PNP
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-26
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

CDR74BNP-100MC 具有优异的电气性能和稳定性，适用于多种电子电路设计。其 NPN 和 PNP 晶体管组合封装设计允许在一个封装内实现互补对称电路，这对于构建推挽放大器、开关电路和逻辑门电路至关重要。
　　该器件的最大集电极电流为 100mA，能够支持中等功率的应用需求。其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30V，确保在较宽的电压范围内稳定工作。最大功耗为 200mW，使其在小型化设计中具有良好的散热性能。
　　CDR74BNP-100MC 的增益带宽积为 100MHz，能够满足高频信号处理的需求。电流增益 hFE 的范围为 110 到 800，具体值取决于器件的等级，这为设计者提供了灵活的选择空间。此外，器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适用于各种恶劣的环境条件。
　　该晶体管阵列采用 SOT-26 封装，具有较小的尺寸和良好的焊接性能，适用于表面贴装技术（SMT），提高了电路板的集成度和可靠性。

CDR74BNP-100MC 的应用领域非常广泛。在便携式电子产品中，它可以用于电源管理、信号放大和开关控制。例如，在智能手机和平板电脑中，该器件可以用于音频放大器和射频信号处理电路。
　　在通信系统中，CDR74BNP-100MC 可用于无线发射和接收模块中的信号放大和调制解调电路。其高频性能和稳定性使其在射频电路中表现出色。
　　在工业控制设备中，该器件可以用于电机驱动、传感器信号处理和自动化控制电路。其互补对称电路设计使其在推挽放大器和逻辑门电路中具有重要应用价值。
　　此外，CDR74BNP-100MC 还可以用于消费类电子产品、计算机外围设备和汽车电子系统中的多种电路设计。

BC847系列, MMBT2222A, 2N3904, 2N3906