类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：33V
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　结电容：约90pF（典型值）
　　最大反向漏电流：100nA（在25V下）

LMMBZ33VAT1G 齐纳二极管具有良好的电压稳定性能和快速响应特性，适用于对空间和功耗有严格要求的电路设计。其SOD-123封装形式不仅体积小、重量轻，而且具备良好的热稳定性与机械强度，适合表面贴装工艺（SMT）。该器件的齐纳电压容差通常在±5%以内，确保了在关键应用中的电压精度。此外，其低漏电流特性（在未达到齐纳击穿电压时）有助于降低电路在待机状态下的功耗，提高整体能效。
　　LMMBZ33VAT1G 的另一个显著特性是其良好的温度稳定性，能够在较宽的环境温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。这一特性使其非常适合用于工业级和汽车电子系统中，这些系统往往面临严苛的工作环境。此外，该器件具有较高的可靠性，能够在长时间运行中保持性能稳定，减少维护和更换频率。

LMMBZ33VAT1G 主要用于各种电子电路中的电压参考、电压限制和稳压功能。典型应用包括电源管理系统、电池充电器、DC-DC转换器、过压保护电路以及传感器信号调理电路。由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性，该器件也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子模块以及消费类电子产品中的电压调节和保护电路。此外，它还可用于通信设备、医疗仪器和测试测量仪器中，作为精确的电压参考源。

MMBZ33VST1G, BZX84C33LT1G, ZMM33, LMMBZ33VALT1