晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　配置：双晶体管阵列（两个独立NPN晶体管）

BAV99STB6-TC具备优异的电气性能和可靠性，其主要特性包括低饱和电压、高电流增益以及良好的频率响应。每个晶体管的集电极-发射极电压最大可达30V，集电极电流为100mA，使其适用于中等功率的开关和放大电路。该器件的电流增益范围广泛（110至800），可根据不同的应用需求进行灵活设计。此外，其100MHz的过渡频率（fT）确保在高频条件下仍能保持良好的性能，适用于射频（RF）和高速开关应用。
　　该晶体管采用SOT-23封装，具有体积小、重量轻、便于自动化装配的特点，适用于高密度PCB设计。其热性能稳定，能够在较高的工作温度下长时间运行，适合工业级应用环境。由于其双晶体管结构，BAV99STB6-TC在需要多个独立晶体管的电路中可以节省空间并降低物料成本。

BAV99STB6-TC常用于多种电子电路设计中，包括音频放大器、数字逻辑电路、驱动电路、信号调节电路以及射频前端模块。其高增益和高频响应使其成为射频放大和混频电路的理想选择。此外，该器件也广泛应用于传感器接口电路、继电器驱动、LED驱动以及便携式设备中的电源管理电路。在工业自动化控制、通信基础设施和消费类电子产品中，BAV99STB6-TC也扮演着重要角色，如作为开关元件控制继电器、LED或小型电机等负载。
　　在嵌入式系统和微控制器应用中，BAV99STB6-TC可用于电平转换、信号放大和缓冲电路。其双晶体管结构可实现互补驱动或差分放大器设计，提高电路的稳定性和效率。

BC847B NPN晶体管（SOT-23封装，类似性能参数）
　　2N3904 NPN晶体管（TO-92封装，通用型号）
　　MMBT3904LT1G NPN晶体管（SOT-23封装，高频应用）