2SK2764是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频开关和功率放大应用。该器件由东芝(Toshiba)公司生产,适用于需要高效能和快速开关特性的电子设备。其封装形式通常为TO-220或类似的功率封装,具备良好的热性能和耐用性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):5A
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):约0.8Ω(典型值)
最大功耗(Pd):30W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
放大系数(gfs):4.0S(最小值)
2SK2764具有快速开关特性,这使其非常适合用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等高频应用。该器件的导通电阻较低,能够减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,2SK2764的栅极驱动要求较低,可以与常见的驱动电路兼容,简化了设计过程。其高耐压能力和良好的热稳定性使其在恶劣环境中也能可靠运行。
该MOSFET的封装设计提供了良好的散热性能,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。同时,其高输入阻抗特性减少了驱动电路的负载,提升了整体系统的响应速度和能效。由于其具备较强的过载和瞬态电流承受能力,2SK2764也常用于电机控制、电池充电器和各种功率电子设备中。
2SK2764广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制、电池管理系统(BMS)以及功率放大器等。在电源管理应用中,该MOSFET可以作为主开关元件,实现高效的能量转换。在电机控制和电池充电器中,它可用于调节电流和电压,以确保系统的稳定运行。此外,2SK2764还常用于工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制电路。
IRFZ44N, 2SK2645, FDPF4N50