BUZ14是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件采用TO-220封装形式,具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适合在中等功率范围内使用。BUZ14的设计注重低导通电阻和快速开关特性,使其在高频开关应用中表现出色。其主要优势在于能够在高电压条件下可靠工作,同时保持较低的功耗和发热。由于其成熟的制造工艺和广泛的应用验证,BUZ14在工业控制、消费电子和汽车电子等领域均有应用记录。尽管该型号在近年来逐渐被性能更优的新一代MOSFET所取代,但由于其良好的兼容性和可获得性,仍然在一些老旧设计或成本敏感型项目中被继续使用。BUZ14的工作原理基于场效应控制,通过栅极电压来调控漏极与源极之间的电流传导状态,实现高效的开关功能。
类型:N沟道
极性:增强型
漏源电压(Vds):100 V
漏源导通电阻(Rds(on)):0.35 Ω(典型值)
栅源阈值电压(Vgs(th)):2 V 至 4 V
连续漏极电流(Id):8 A(最大值)
脉冲漏极电流(Idm):32 A
最大功耗(Ptot):75 W
输入电容(Ciss):600 pF(典型值)
输出电容(Coss):190 pF(典型值)
反向恢复时间(trr):未指定(体二极管)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
BUZ14具有出色的电气性能和热稳定性,适用于多种高功率开关场景。其N沟道增强型结构允许在正栅极电压下形成导电沟道,从而实现对负载电流的有效控制。该器件的最大漏源电压为100V,能够满足大多数中压电源系统的需求,例如12V、24V或48V供电系统中的开关应用。其漏源导通电阻典型值为0.35Ω,在同类产品中处于合理水平,有助于降低导通损耗并提高整体能效。虽然这一阻值相较于现代超低Rds(on) MOSFET略显偏高,但在许多非极端效率要求的应用中仍可接受。
该器件的连续漏极电流可达8A,短时脉冲电流支持高达32A,表明其具备较强的瞬态过载能力,适合驱动感性负载如继电器、小型电机或电磁阀等。这种能力得益于其优良的芯片设计和TO-220封装提供的良好散热性能。在实际应用中,若配合适当的散热片使用,BUZ14可在接近满负荷状态下长时间稳定运行。此外,其最大功耗为75W,进一步证明了其在功率处理方面的可靠性。
BUZ14的输入电容和输出电容分别为600pF和190pF,这些参数影响着器件的开关速度和驱动电路设计。较低的电容值意味着更小的栅极驱动能量需求,有利于减少驱动损耗并提升开关频率。然而,由于该器件并非专为高频优化设计,因此在超过数十kHz以上的开关应用中可能不如专门的高速MOSFET表现优异。其栅源阈值电压范围为2V至4V,说明它可以在逻辑电平信号(如5V TTL或CMOS输出)直接驱动下开启,但为了确保完全导通并最小化导通电阻,通常建议使用10V左右的栅极驱动电压。
从可靠性角度看,BUZ14的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,使其能够在恶劣环境条件下正常工作,包括工业现场或车载环境中可能出现的高低温波动。其内置的体二极管虽不具备快速恢复特性,但在某些拓扑结构(如反激式转换器或H桥电路)中仍可提供必要的续流路径。总体而言,BUZ14是一款成熟可靠的功率MOSFET,尽管在当前技术标准下已不属于前沿产品,但凭借其稳健的设计和广泛的适用性,仍在许多传统和维护类项目中发挥重要作用。
BUZ14常用于各类开关电源电路中,作为主开关元件或同步整流器件,尤其适用于低频或中频DC-DC变换器设计。在电机控制领域,它可用于直流电机的启停与方向切换,特别是在机器人、自动化设备和小型电动工具中作为H桥电路的一部分。此外,该器件也常见于逆变器系统中,用于将直流电转换为交流电输出,适用于不间断电源(UPS)、太阳能微逆变器等应用。在照明控制系统中,BUZ14可用于调光或开关大功率LED阵列,通过PWM方式调节亮度。由于其具备一定的过载承受能力,也被用于继电器或电磁阀的驱动电路,替代机械接触器以实现无触点控制,从而延长系统寿命并提高响应速度。在消费电子产品中,BUZ14曾广泛应用于电视机、音响设备和电源适配器的待机电源管理模块。工业自动化系统中,该器件可用于PLC输出模块或传感器接口电路中的功率切换部分。此外,在汽车电子中,BUZ14可用于车身控制模块,如车窗升降、风扇调速或灯光控制等低压大电流负载的驱动。由于其TO-220封装便于安装散热片,因此特别适合需要一定功率密度但又不追求极致小型化的应用场景。
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