时间：2025/5/8 1:12:50
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IPB180N06S4-H1 是一款高性能的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），采用先进的制程工艺设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该器件主要应用于需要高效功率转换的场景，例如电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动以及开关电源等。其优化的栅极电荷和输出电容使其成为高频应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：180A
导通电阻：2.5mΩ
栅源开启电压：2.5V
总栅极电荷：95nC
输入电容：2320pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
IPB180N06S4-H1 提供了非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提升了系统效率。
它具有高电流承载能力，能够满足大功率应用场景的需求。
该器件采用了超薄封装技术，适合空间受限的设计。
同时，其出色的热性能确保了在高温环境下依然可以稳定运行。
此外，快速的开关特性和低栅极电荷也降低了开关损耗，进一步提升了效率。
IPB180N06S4-H1 广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动
3. 工业逆变器
4. DC-DC 转换器
5. 充电器模块
6. 电动车及电动工具中的功率控制
7. 高效能源管理系统中的功率级组件
IPW180N06S4-L, IRF540N, STP180N06L
