时间：2025/5/15 15:33:02
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ETQP3M1R0KVP 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的封装技术，能够显著降低开关损耗并提高系统整体效率。
ETQP3M1R0KVP 的设计旨在满足现代电力电子设备对高效能和小型化的需求，同时具备出色的热性能和可靠性。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：3A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：35nC
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TO-252
ETQP3M1R0KVP 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压能力，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度，元件尺寸。
4. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，提升系统的可靠性和安全性。
5. 优秀的热性能，有助于简化散热设计并降低系统成本。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各种工业和消费类电子产品中。
这款 GaN 功率晶体管适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 工业 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器中的高频电路。
4. 电动工具及家用电器的电机驱动。
5. 数据中心服务器电源和其他需要高效能转换的领域。
ETQ035M1R0KVP, ETQP3M1R0KVN
