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IS43LR32200B-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/8/1 23:12:46 查看 阅读:27

IS43LR32200B-6BLI-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高性能、低功耗的移动型 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。该器件主要面向需要高带宽和低功耗的应用,如便携式电子设备、通信设备和嵌入式系统。该芯片采用32M x 16的组织结构,提供256Mb的存储容量,工作电压为1.7V至3.3V,具有宽电压适应能力,适用于多种应用场景。

参数

容量:256Mb
  组织结构:32M x 16
  电压范围:1.7V - 3.3V
  时钟频率:高达166MHz
  封装形式:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:16位
  封装引脚数:54
  工作模式:同步模式
  访问时间:5.4ns

特性

IS43LR32200B-6BLI-TR 的主要特性之一是其低功耗设计,适用于移动设备和便携式电子产品。其同步模式操作允许与高速系统时钟同步,从而提高了数据传输效率和系统稳定性。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在保持数据完整性的同时降低功耗。此外,该器件具有CMOS工艺技术,提供高可靠性和抗干扰能力。其宽电压范围使得该芯片适用于多种电源环境,增强了其在不同应用中的适应性。
  该芯片还具有高性能的突发访问能力,支持线性和交错的突发模式,提升了数据访问效率。其TSOP封装形式有助于降低封装高度,适用于空间受限的应用场景。此外,该芯片符合RoHS环保标准,适合用于环保型电子产品设计中。

应用

IS43LR32200B-6BLI-TR 主要应用于需要高性能、低功耗和高数据带宽的电子系统中。例如,该芯片广泛用于便携式媒体播放器、智能电话、无线通信设备、数字相机、嵌入式系统和手持式计算设备。在工业自动化和汽车电子领域,该芯片也常用于数据缓存、图像处理和实时系统控制等任务。其宽电压范围和工业级温度范围使其能够适应多种严苛的工作环境,保证系统在各种条件下的稳定运行。

替代型号

IS43L16200B-6BLI-TR, IS43LR16200B-6BLI-TR, MT48LC16M2A2B4-6A, CY7C1380D-543BZXC

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IS43LR32200B-6BLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织2M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)