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HVU352TRF 发布时间 时间:2025/5/12 19:34:16 查看 阅读:4

HVU352TRF是一款高性能、低功耗的MOSFET驱动器芯片,专为高电压应用而设计。该芯片集成了先进的控制电路和保护功能,能够有效驱动N沟道或P沟道MOSFET,广泛适用于开关电源、电机驱动、LED驱动等场景。
  其内部结构包括栅极驱动器、电平转换电路以及过流保护模块,能够在高压环境下保持稳定工作,并且具备快速响应能力,适合对效率和可靠性要求较高的应用。

参数

供电电压:10V~60V
  最大输出电流:±4A
  延迟时间:25ns(典型值)
  传播延迟匹配:10ns(最大值)
  工作温度范围:-40℃~125℃
  封装形式:SOIC-8
  输入兼容性:TTL/CMOS
  静态电流:2mA(典型值)

特性

HVU352TRF具有以下显著特点:
  1. 高压驱动能力:支持高达60V的工作电压,确保在宽范围输入电压下稳定运行。
  2. 快速开关性能:得益于极低的延迟时间和精确的传播延迟匹配,可减少死区时间并提高系统效率。
  3. 内置保护功能:包含短路保护、过温保护以及欠压锁定功能,进一步提升了系统的可靠性和安全性。
  4. 超低静态功耗:静态电流仅为2mA,在节能模式下表现出色。
  5. 宽泛的工作温度范围:支持从工业级到扩展级温度区间,适应各种恶劣环境。

应用

HVU352TRF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为功率MOSFET的高效驱动器,适用于反激式、正激式等多种拓扑结构。
  2. 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)或其他类型电机的电子换相控制。
  3. LED照明驱动:实现恒流输出,保障LED灯具亮度一致性。
  4. 汽车电子:适配车载电子设备中的高电压负载控制需求。
  5. 工业自动化:在工业控制中提供精准的信号放大与驱动功能。

替代型号

HVU352NRF, HVU352DGF

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