VHFD37-08IO1 时间：2025/8/6 5:24:29 阅读：9

VHFD37-08IO1 是一款由VISHAY公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高频应用设计。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关性能。VHFD37-08IO1主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的工业和汽车应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：180A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（最大，在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

VHFD37-08IO1采用了Vishay先进的TrenchFET技术，使得该器件具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其高电流容量（180A）和低RDS(on)（3.7mΩ）特性，使其适用于高功率密度设计。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。器件的栅极驱动电压范围为4.5V至20V，兼容多种驱动电路设计，如常见的12V和5V控制系统。
　　VHFD37-08IO1采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于紧凑型电路设计。这种封装还提供良好的电气性能和机械稳定性，适用于各种恶劣环境条件。
　　器件的工作温度范围为-55°C至175°C，确保在极端温度条件下仍能稳定运行，适用于工业和汽车应用中常见的严苛环境。

应用

VHFD37-08IO1广泛应用于高功率密度电源系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器和同步整流器。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电机控制和电池管理系统中的理想选择。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及48V轻混系统中的功率控制模块。
　　由于其高频开关能力和高效率特性，VHFD37-08IO1也可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统和光伏逆变器等可再生能源应用。