SN74HC373DR 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款高速 CMOS 八位透明锁存器集成电路,采用 HC 系列 CMOS 技术制造。该芯片内含八个独立的 D 型锁存器,每个锁存器都具有三态输出,能够在高速应用中实现数据的临时存储和控制。SN74HC373DR 是 74HC 系列逻辑器件的一员,广泛应用于各种数字电路系统中,如数据缓冲、地址锁存、总线接口控制等。该芯片采用标准 20 引脚 SOIC(小外形集成电路)封装,适用于工业级温度范围。
供电电压范围:2.0V 至 6.0V
输出电流:±4mA(在 VCC = 5V 时)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大工作频率:100MHz(典型值)
传播延迟:约 18ns(在 VCC = 5V、负载为 50pF 时)
输入电平兼容性:TTL 输入 兼容
封装类型:20 引脚 SOIC(表面贴装)
SN74HC373DR 具有多个显著的电气和逻辑特性,使其适用于广泛的数字电路设计。首先,其采用高速 CMOS 技术,不仅保证了高速运行能力,还具备低功耗的优点,这使得它在电池供电或低功耗要求较高的系统中表现出色。其次,该芯片内部集成了八个 D 型锁存器,每个锁存器都可以独立控制,且每个输出引脚都具有三态功能,允许将多个器件连接至共享的数据总线而不发生冲突。
此外,SN74HC373DR 的输入引脚兼容 TTL 电平,这意味着它可以轻松与多种数字逻辑器件(如 74LS、74ALS 系列)进行接口,而无需额外的电平转换电路。这种电平兼容性提高了其在复杂系统设计中的灵活性。
另一个重要特性是它的锁存使能(Latch Enable,LE)和输出使能(Output Enable,OE)控制功能。当 LE 为高电平时,输入端的数据被传送到输出端;当 LE 变为低电平时,输出端保持当前状态不变。OE 信号则用于控制输出是否处于高阻态,从而实现对数据总线的隔离。这种控制机制使得 SN74HC373DR 在多路复用和总线管理应用中非常实用。
最后,该器件采用标准 20 引脚 SOIC 封装,适合表面贴装工艺(SMT),适用于自动化生产和高密度 PCB 设计。同时,其宽工作温度范围也使其适用于恶劣工业环境。
SN74HC373DR 主要用于需要数据锁存和缓冲的数字系统中。一个典型的应用是作为地址锁存器使用,在微处理器或微控制器系统中,用于锁存地址总线上的地址信息,从而允许地址和数据共享同一组引脚。例如,在 Intel 80C51 系列单片机或其他类似的 8 位/16 位处理器中,SN74HC373DR 可用于锁存地址的低八位,释放地址/数据复用总线供数据传输使用。
此外,该芯片也常用于数据缓冲器,例如在存储器接口、LCD 控制器或 I/O 扩展模块中,用于暂存数据并将其驱动至外部设备。由于其三态输出功能,多个 SN74HC373DR 可以并联使用,通过控制各自的 OE 引脚来选择哪个器件的数据输出有效,从而实现多路数据选择或共享总线的管理。
在工业控制、通信接口和嵌入式系统设计中,SN74HC373DR 也广泛用于实现信号同步、电平转换以及数据隔离等功能。其高速、低功耗和良好的抗干扰能力使其成为许多数字电路设计中的关键组件。
74HC373N、74HC373D、CD74HC373、74ACT373、74HCT373