IR3M77 时间：2025/8/28 5:23:30 阅读：4

IR3M77 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高功率密度应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、电池充电器等高功率应用领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：77A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 1.7mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约 80nC
　　最大功耗（Ptot）：170W
　　封装形式：PG-HSOF-8-1（表面贴装）

特性

IR3M77 的主要优势在于其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　其先进的沟槽技术不仅提升了导通性能，还改善了热管理和开关行为，使器件在高频操作下依然保持稳定。
　　该 MOSFET 采用 HSOF-8 封装，具备良好的散热能力，适合在紧凑型设计中使用，同时支持表面贴装工艺，提升了制造效率和可靠性。
　　此外，IR3M77 还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在严苛工作环境下的稳定性和耐用性，适用于汽车电子、工业自动化和消费类电源系统。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 4.5V 至 20V 驱动电压，兼容多种控制 IC 和驱动器，提升了设计的灵活性。

应用

IR3M77 常用于高性能电源转换系统中，如同步整流型 DC-DC 转换器、服务器电源、电信设备电源模块、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及电动车充电设备等。
　　由于其优异的导通性能和高电流能力，该器件也广泛应用于大功率负载开关、ORing 控制电路以及 UPS（不间断电源）系统。
　　在汽车电子领域，IR3M77 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统等关键模块，满足对高可靠性和高效能的严格要求。